ウェハーの薄くする方法はいくつかあります。

1)研磨チップ(通常100 ~ 150mです)

2)化学机械研磨により、チップの厚さを50m以下にすることができます。

3)ケミカルエッチングにより、チップを薄くし、研磨や研磨による地下のダメージを取り除きます

4)プラズマエッチングによるものです。通常研磨と他の方法の組み合わせが最も効果的な薄い溶液の方法です。

ほとんどの薄いウエハ処理は、ウエハを一時担体に接着することにより、従来の厚いウエハとほぼ同じ方法でウエハを処理します。しかしながら、いくつかのアプリケーションでは、製造量、経済性、プロセスフロー、またはデバイス性能の理由から、ウェハーを処理する担体がないことが望ましい。

化学的に薄くすることは損傷を取り除き、研磨や研磨にかかる応力を軽減するために必要です。化学的希薄性は、ポリッシュ(薄く磨ってから)ウエハーを薄くする代替手段でもあります。もう一つの利点は、他の技術が残す可能性のある損傷や表面の特徴を完全になくすことです。ウェットエッチングは液体と固体の基底の間の相互作用を伴うため、一般的に最も手っ取り早く経済的な方法です。基板の両側が湿っている場合、浸漬はエッチングと薄くなることが一般的です。基板が片側のエッチングにしか露出しない場合、スピンまたはスプレーが妥当な候補となりますが、それぞれに視線方向および輸送による不均一性などの欠点があります。特定の包装または装置の要求に応じて、改善の均一性(TTVの場合)は一般的に重要な考慮要素です;従来の技術では、TTVの許容範囲内でどれだけの材料を取り除けるかという点で明確な制限があります。

それぞれの表面元素を同じ化学環境と輸送環境に曝すことで、プロセスが本質的に一致するようにします(図1)。固液界面(バリアー層)は速度勾配、対流、その他の輸送関連勾配の影響を受けません。これらの勾配は厚さの変化をもたらし、大きなTTVを引き起こす可能性があります。

リニアスキャンエッチング技術は、ウェハーの薄くして減圧するためのネイティブアプリケーションです。包装プロセスのあらゆる時点で、ほぼあらゆる厚さ、構造、サイズの基板部品がリニアスキャンエッチングと互換性があります。現代ICデバイス基板の最終的な厚さは減少し続けて、50mは多くの現代デバイスの現在の最も先進的な目標です。リニアースキャンエッチングは、特に非常に薄い基材を処理するのに適しています。リニアスキャンシステムで使用される化学物質は界面活性剤を必要とせず、小さい流量で小さい体積で使用できるため、より効率的な化学的使用が可能です。界面活性剤の消費量に関係なく化学物質はプロセスによって決定された到達点に使うことができますこれらの特徴は、化学品の使用やその購入?処分コストの削減、環境規制の緩和などであり、全体的な生産?所有コストの低減につながっています。

すべての領域が同じ化学および輸送環境にさらされているため、基板の大きさと形状はほとんど無関係です。リニアースキャンエッチングは、不自然な、非円形、厚い基板、300mmより大きい構造物、大きく歪んだウエハー(10mmまでの平面外の変形)を受け入れることができます。

薄型ウエハの取り扱いには2つの課題がありました。変形と破損です。応力が増加しない場合、ウエハーのヨーは半径の2乗に比例し、厚さの3乗目は反比例します。図4は、ライン独立型のスリムチップ後端によく見られる歪量を示しています。この場合、変形は約10mmで、それらの上に堆積した余分の層による応力が加わります。効果的にそれらを所有し、処分する方法は、すべてこの点を考慮しなければなりません。

BernoulliとCAT非接触クリップブロックの組み合わせ、リニア走査ウェットエッチングは、ウェット処理と超薄型独立ウェハ処理の優れた組み合わせです。ほとんどすべての化学物質とすべての基板材料の相互作用の能力を使用して、システムが大多数の関心の材料を処理することができるようにして、同時にひどいねじれまたはねじれの薄いウエハーを処理する能力を維持します。パッケージング用途に加えて、このシステムは、InP、Ge、ガリウム砒素、シリコン、ポリシリコン、ガラス、石英などのエッチングや辛口用途でも使用されています。サイズや厚さの広い範囲で奇数形状の基材も取り扱うことができます。これらの方法は、より正確で効率的にシートを湿らせ、薄型と環境にやさしいウエハを処理する新しい方法を提供します。

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